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WCSN0436V1P-100AI 参数 Datasheet PDF下载

WCSN0436V1P-100AI图片预览
型号: WCSN0436V1P-100AI
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内容描述: 128Kx36流水线SRAM与NOBL TM架构 [128Kx36 Pipelined SRAM with NoBL TM Architecture]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 285 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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WCSN0436V1P
电容
[12]
参数
C
IN
C
CLK
C
I / O
描述
输入电容
时钟输入电容
输入/输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
DD
= 3.3V,
V
DDQ
= 3.3V
马克斯。
4
4
4
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
Z
0
=50Ω
R
L
=50Ω
V
L
= 1.5V
3.0V
5 pF的
R=351Ω
INCLUDING
夹具
范围
GND
R=317Ω
[13]
产量
所有的输入脉冲
(a)
(b)
1350B-2
热阻
描述
热阻
(结到环境)
热阻
(结点到外壳)
测试条件
静止的空气中,焊接在4.25 X 1.125英寸,
4层印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
TQFP典型。
28
4
单位
° C / W
° C / W
笔记
12
注意事项:
12.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
13. A / C测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V ,而在显示输出负载
(a)部分交流测试负载。
文件编号: 38-05246牧师**
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