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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 上海典宇电子科技有限公司

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  • 上海乙幸科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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产品型号8ETH06FPPBF的概述

芯片8ETH06FPPBF概述 8ETH06FPPBF是一款由国际知名半导体制造商生产的N沟道功率MOSFET。其在电子设计、功率转换和控制电路等领域中发挥着重要作用。作为一种高效能的半导体器件,8ETH06FPPBF具有较低的导通电阻、快速的开关速度,并且能够承受较高的电流和电压水平。这使得它在多种应用中成为设计工程师首先考虑的选择。 芯片8ETH06FPPBF的详细参数 根据制造商提供的技...
配单直通车
8ETH06FPPBF产品参数
型号:8ETH06FPPBF
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:TO-220AC
包装说明:R-PSFM-T2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, UL RECOGNIZED
应用:HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 V
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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