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2N7002E 参数 Datasheet PDF下载

2N7002E图片预览
型号: 2N7002E
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内容描述: N沟道FET的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 80 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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Philips Semiconductors
2N7002E
N-channel TrenchMOS™ FET
8. Revision history
Table 6:
Revision history
Release date
20050426
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Doc. number
9397 750 14944
Supersedes
2N7002E-01
Document ID
2N7002E_2
Modifications:
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new presentation and
information standard of Philips Semiconductors.
Addition of upper limit for V
GS(th)
.
Product data
-
9397 750 09095
-
2N7002E-01
20020211
9397 750 14944
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 26 April 2005
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