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配单直通车

FDD3570产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta) 3.4W(Ta),69W(Tc) TO-252

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):76nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2800pF @ 40V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.4W(Ta),69W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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