首天国际(深圳)科技有限公司
服务专线:0755-82807802
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
服务专线:0755-83209937
北京元坤伟业科技有限公司
服务专线:010-62104931
深圳市英科美电子有限公司
服务专线:0755-23903058
深圳市中利达电子科技有限公司
服务专线:0755-83200645
品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta) 3.4W(Ta),69W(Tc) TO-252
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):76nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2800pF @ 40V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.4W(Ta),69W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装:2,500
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯,Datasheet 1000万数据,IC品牌1000多家。