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FDFMA2P853产品参数和技术文档

FDFMA2P853产品图

FDFMA2P853产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.30682
$920.46

FDFMA2P853产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):435pF @ 10V

FET 功能:肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)

封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘

标准包装:3,000

其它名称:FDFMA2P853FSTR FDFMA2P853TR FDFMA2P853TR-ND

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