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FDM3622产品参数和技术文档

FDM3622产品图

FDM3622产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.67298
$2,018.94

FDM3622产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.4A(Ta) 2.1W(Ta) 8-MLP(3.3x3.3)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1090pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

标准包装:3,000

其它名称:FDM3622-ND FDM3622TR

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