FDM3622产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 4.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1090pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerWDFN

标准包装：3,000

其它名称：FDM3622-ND FDM3622TR