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FDMC510P产品参数和技术文档

FDMC510P产品图

FDMC510P产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.64680
$1,940.40

FDMC510P产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 12A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):116nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7860pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.3W(Ta),41W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

标准包装:3,000

其它名称:FDMC510PTR

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