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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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产品型号GT30J101的概述

GT30J101芯片概述 GT30J101是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及其他需要高效能电源管理的应用。该芯片能够有效控制电流的流动,为各种电子设备提供稳定的电源供给。 GT30J101芯片属于N沟道MOSFET的类别,具有良好的导通电阻和开关特性,...
配单直通车
GT30J101产品参数
型号:GT30J101
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.22
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):300 ns
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):155 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):700 ns
标称接通时间 (ton):400 ns
Base Number Matches:1
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