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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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产品型号HIP6603ACB-T的概述

芯片HIP6603ACB-T的概述 HIP6603ACB-T是一款由世纪电气公司(Intersil)制造的高效能、低功耗的多相DC-DC转换器,专门设计用于支持高速微处理器和FPGA等集成电路。作为一款集成度高的芯片,它可以极大降低外部元件的数量,从而实现紧凑的电路设计。这种多相转换器的设计理念,...
配单直通车
HIP6603ACB-T产品参数
型号:HIP6603ACB-T
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.36
Is Samacsys:N
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
标称输出峰值电流:0.73 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5/12,12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:12 V
最小供电电压:5 V
电源电压1-最大:13.2 V
电源电压1-分钟:10.8 V
电源电压1-Nom:12 V
表面贴装:YES
技术:MOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.03 µs
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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