快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）是一种专门设计用于在电路中迅速从导通状态切换到截止状态的半导体器件。相较于传统的整流二极管，快恢复二极管具有较短的反向恢复时间（trr），这一特性使得它们非常适合于高频和高速开关应用，如开关电源、EPM7256AETC100-7变频器和电力电子转换装置。快恢复二极管能够减少开关损耗，提高系统的整体效率和性能。一、基本结构：快恢复二极管的基本结构由一个p型半导体材料和一个n型半导体材料组成，它们之间形成一个pn结。这个pn结在电路中起到控制电流单向流动的作用。与普通二极管不同，快恢复二极管的制造工艺经过优化以减少载流子的复合时间，从而实现快速的反向恢复特性。这通常通过在半导体材料中引入特殊的掺杂剂、优化耗尽区宽度以及使用先进的半导体制造技术来实现。二、特点：1、单向导电性：二极管在正向偏压下导电，在反向偏压下截止。2、低正向电压降：二极管导通时只有很小的电压降。3、高反向击穿电压：在反向偏压下，二极管可以承受较高的电压而不被击穿。4、开关速度快：特殊类型的二极管（如肖特基二极管）可以实现非常快速的开关。三、原理：快恢复二极管的工作原理与普通pn结二极管相似。在正向偏置条件下，p型侧接正极，n型侧接负极，耗尽区变窄，电流能够流过pn结。在反向偏置条件下，耗尽区变宽，电流被阻断。快恢复二极管的关键特性在于它在反向偏置后能够迅速停止电流流动。当电压极性突然改变时，pn结中存储的少数载流子需要被清除才能截止电流。快恢复二极管通过优化设计来加速这一过程，从而达到快速恢复到截止状态的目的。四、应用：快恢复二极管因其快速开关特性而广

ES1D属于超快恢复二极管ES1D详细规格二极管类型：标准反向恢复时间333trr444：15ns供应商设备封装：SMA类别：单二极管/整流器电压_333Vr444111最大222：200V电流_在Vr时反向漏电：5μA @ 200V描述：DIODE ULTRAFAST 200V 1A DO-214AC电流_平均整流333Io444：1A电容0a0VrwwwwF：7pF @ 4V，1MHz系列：-电压_在If时为正向333Vf444111最大222：920mV @ 1A安装类型：表面贴装制造商：Fairchild Semiconductor速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）封装__外壳：DO-214AC，SMA

快恢复二极管广泛应用于不间断电源、开关电源、交流电机的变频调速器、脉宽调制器等电路中作高频、高压、大电流整流、续流二极管用。具体选用时应根据电路的要求，选择合适参数的管子使用。在选用时如果单管的参数不能满足要求而对管能满足要求时，则可把对管当作单管使用。在使用对管中如有一只管子损坏时，则可作单管使用。由于制作工艺的不同，有些单管也有3个引脚，其中间的为空脚，通过测量便可确定其无用。常用的快恢复二极管有C2O-04、C92-02、MUR1680A、MUR3040m以及FR型、PFR型。具体参数如表和表所示。 RF型快恢复二极客主要参数 常用快恢复二极管参数值

快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD （Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 （1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 （2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快

0 引言 模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性，同时也可降低装置的生产成本，缩短新产品进入市场的周期，提高企业的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成，因此，缩短了元器件之间的连线，可实现优化布线和对称性结构的设计，使装置线路的寄生电感和电容参数大大降低，有利于实现装置的高频化。此外，模块化结构与同容量分立器件结构相比，还具有体积小、重量轻、结构紧凑、外接线简单、便于维护和安装等优点，因而大大缩小了装置的何种，降低装置的重量和成本，且模块的主电极端子、控制端子和辅助端子与铜底板之间具有2．5kV以上有效值的绝缘耐压，使之能与装置内各种模块共同安装在一个接地的散热器上，有利于装置体积的进一步缩小，简化装置的结构设计。 常州瑞华电力电子器件有限公司根据市场需求，充分利用公司近二十年来专业生产各类电力半导体模块的工艺制造技术，设计能力，工艺和测试设备以及生产制造经验，于2006年开发出了能满足VVVF变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源和伺服电机传动放大器所需的“三相整流二极管整流桥开关模块”(其型号为MDST)的基础上，近期又开发出了“三相超快恢复分公司极管整流桥开关模块”(其型号为MFST)，由于这种模块与采用3～5普通整流二极管相比具有反向恢复时间(trr)短，反向恢复峰值电流(IRM)小和反向恢复电荷(Qrr)低的FRED，因而使变频的噪音大大降低，从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容尺寸减小，价格下降，使变频器更易符合国内外抗电磁干扰(EMI)标准。 1 模块的结构及特点 FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个

1．快恢复二极管的作用与结构 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。图4-49是快恢复二极管的外形。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴，如图4-50所示。2．常用的快恢复二极管 常用的小功率快恢复二极管有FR系列和PFR系列等，其主要参数见表4-45。常用的中、大功率快恢复二极管有RC系列、MUR系列、CTL系列等其主要参数见表4-46。

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）和肖特基二极管（Schottky Diode）是电子元件领域中两种常见的BTS3118N二极管，它们都具有快速导电的特性，但在结构、工作原理以及应用领域上有着明显的不同。理解这些差异有助于判断它们是否可以互换使用。快恢复二极管快恢复二极管是一种特殊设计的PN结二极管，它针对普通二极管恢复时间较长的问题进行了改进，使其可以在高频电路中使用，减少开关时产生的能量损失。快恢复二极管通常用于变频器、开关电源、逆变电路等高频电路中。它的主要特点是具有较短的反向恢复时间（trr），可以实现快速切换，但相较于肖特基二极管，快恢复二极管的正向压降较大，反向漏电流较小。肖特基二极管肖特基二极管采用金属与半导体之间的肖特基势垒来形成导电通道，与传统的PN结二极管相比，具有更低的正向导通压降和更快的切换速度。肖特基二极管非常适合作为电源整流器件，特别是在低压应用中表现出色。它的反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，但缺点是在高温下反向漏电流较大，且反向耐压一般不高。是否可以互换快恢复二极管和肖特基二极管虽然在某些性能上有交叉（如快速开关特性），但它们的核心优势和适用场景有所不同。因此，它们是否可以互换使用，需要根据具体的应用场景和要求来决定：1.正向压降和效率要求：如果应用对正向压降和效率有严格要求，肖特基二极管通常是更好的选择。2.反向耐压和漏电流：在需要较高反向耐压和较小漏电流的应用中，快恢复二极管可能更加合适。3.工作频率：对于高频应用，两者都可以考虑，但具体选择取决于正向压降、反向恢复时间和其他参数的综合考虑。4.温度特性：如果应用环境温度

快恢复二极管和整流二极管虽然在某些应用中可以互相替代使用，但它们的特性和适用范围有一些区别。首先，我们来了解一下快恢复二极管和整流二极管的基本特性。快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种具有快速恢复时间的二极管。它的主要特点是具有较低的恢复时间和较小的恢复电压，可以在高频率下工作。快恢复二极管通常用于需要快速开关和恢复的应用，如电源开关、逆变器、电机驱动电路等。整流二极管（Rectifier Diode）是一种用于将交流电转换为直流电的二极管。它的主要特点是具有较高的导通电流和较大的反向击穿电压。整流二极管通常用于电源、整流电路和电源滤波器等应用，其中需要将交流电转换为直流电。虽然快恢复二极管和整流二极管在某些方面具有相似的特性，但它们在以下几个方面存在差异：1、恢复时间：快恢复二极管具有较快的恢复时间，通常在几纳秒至几十纳秒的范围内。而整流二极管的恢复时间通常在几百纳秒至几微秒的范围内。因此，在需要快速开关和恢复的高频应用中，快恢复二极管更为适用。2、反向恢复电压：快恢复二极管具有较小的反向恢复电压，通常在几十伏特至几百伏特的范围内。而整流二极管的反向恢复电压通常在几百伏特至几千伏特的范围内。因此，在高压应用中，整流二极管更为适用。3、导通电流：整流二极管通常具有较大的导通电流能力，可以承受较高的电流。而快恢复二极管的导通电流能力相对较小。因此，在高电流应用中，整流二极管更为适用。综上所述，虽然快恢复二极管和整流二极管在某些应用中可以互相替代使用，但在选择时需要考虑其具体的特性和应用要求。如果需要快速开关和恢复的高频应用，或者对反向恢复电压和导通电流有较

二极管是一种最简单的半导体器件，它由两个不同类型的半导体材料组成，即P型半导体和N型半导体。快恢复二极管和肖特基二极管都是二极管的一种，它们的区别主要在于其工作原理和应用领域。一、快恢复二极管快恢复二极管是一种具有快速恢复时间的ADM485ARZ二极管，其特点是具有快速的反向恢复时间和低反向恢复电流。快恢复二极管的结构与普通二极管相似，但其P型区和N型区之间插入了一层高掺杂的P+区或N+区，这种结构使得电荷载流子的扩散速度加快，因此具有快速的反向恢复特性。快恢复二极管的应用领域广泛，例如逆变器、电源、电机驱动器、电子变压器、高速开关等。由于其快速的反向恢复时间和低反向恢复电流，可以在高频率和高电压的电路中使用，以提高电路效率和稳定性。二、肖特基二极管肖特基二极管是一种具有低正向压降和快速开关速度的二极管，它是由金属与半导体PN结组成的。与快恢复二极管不同，肖特基二极管的P型区是由金属与半导体PN结组成的，这种结构使得正向电压下的载流子扩散速度加快，因此具有低正向压降和快速开关速度的特性。肖特基二极管的应用领域主要集中在低压、低功耗的电路中，例如电源、放大器、逆变器、开关电源等。由于其低正向压降和快速开关速度，可以在低功耗的电路中使用，以提高电路效率和稳定性。三、快恢复二极管与肖特基二极管的比较1、材料组成二极管由两个不同类型的半导体材料组成，而肖特基二极管由金属和半导体材料组成。2、极性二极管是一种单向导电元件，只允许电流在一个方向上流动。而肖特基二极管也是一种单向导电元件，但它可以在低电压下工作，具有更快的响应速度和更低的噪声。3、正向偏置在正向偏置下，二极管和肖特基二极管都

1．快恢复二极管的作用与结构快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。图4-49是快恢复二极管的外形。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴，如图4-50所示。 2．常用的快恢复二极管常用的小功率快恢复二极管有FR系列和PFR系列等，其主要参数见表4-45。常用的中、大功率快恢复二极管有RC系列、MUR系列、CTL系列等其主要参数见表4-46。

玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管 序号 型号 IF VRRM VF Trr 外形 A V V ns （1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管 1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP 2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP 3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP 4 BYV27-50～200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP 5 BYV28-50～200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G3 6 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP 7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP 8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP 9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G3 10 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V

1．快恢复二极管的作用与结构 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。图4-49是快恢复二极管的外形。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴，如图4-50所示。2．常用的快恢复二极管 常用的小功率快恢复二极管有FR系列和PFR系列等，其主要参数见表4-45。常用的中、大功率快恢复二极管有RC系列、MUR系列、CTL系列等其主要参数见表4-46。

一、主要概述     DPM10T60CG2 是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于功率电机驱动。其内置了6个IGBT和3个半桥HVIC 栅极驱动电路。    内部集成了欠压保护、过流保护电路、SD 使能关断功能，提供了优异的保护和故障安全操作。    由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。电路提供一个温度感测输出端口，另外内部集成了自举二极管，简化了外围线路。二，功能描述    该模块集成三路半桥驱动及功率输出。    驱动电路中集成高低侧驱动、互锁逻辑、欠压保护、过温保护、自举等功能。三路驱动基本功能一致，不同之处为，W 相的使能端口同时也是故障信号输出端口及温度感测输出端口，另外增加了过流检测功能。    电路工作时，接受来自输入端口的信号，并生成对应的驱动信号。当电路检测到过流保护端口 CSC 的输入电压低于保护电压时，电路为正常工作状态，不触发过流保护功能；而当电路检测到过流保护端口 CSC 电压高于保护电压时，无论输入信号处于何种状态，输出均会进入强制被关断的状态，同时故障输出端口电压被拉低。    ITS为电路温度感测端输出，其输出随温度上升而线性增大的电流。应用时接上拉电阻，该电压呈负温特性。    电路正常工作时，使能端口 SD 电压置为高电平；该端口任何时候电平被拉低，电路均进入关断状态。三，主要特点● 集成3路半桥驱动● 内置6个IGBT● 内置

地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101主营集成芯片二三极管，专业工厂配单配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料，深圳市亚泰盈科电子有限公司本着“客户至上”的原则，以“为客户带来最大效益”为目标，为客户提供最高质量、最优势竞争价格的产品及售后服务。如果您也在寻找电子元器件领域有资格的供应商，深圳市亚泰盈科电子有限公司一定是您的最佳选择！ 深圳市亚泰盈科电子有限公司凭借全球采购网络和丰富的行业经验，为客户提供快捷的资讯，可信赖的质量标准和优势的价格，一站式的便利采购、灵活的解决方案，成为国内外众多知名企业核准的现货合作伙伴，在业界赢得了良好的声誉和佳绩，被114网《国际电子商情》评为“全国最佳持续供货能力独立分销商”。 深圳市亚泰盈科电子有限公司前分销品牌元器件达三万余种，涵盖集成芯片、电容、电阻、晶体管、二极管、三极管、连接器等，专长于对紧缺、停产、热门等物料的供应，所服务的领域涉及光电投影、计算机与网络设备、手机通讯、汽车电子、消费电子、医疗器械、精密仪器、控制...

一,主要概述             BP2861MK是一款降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式,适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。        BP2861MK芯片内部集成500V功率开关，采用栅极退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。        BP2861MK芯片采用内置高精度的电流采样电路和恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。       BP2861MK具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片温度过热调节等。       BP2861MK采用SOP7封装。二，主要特点*     与BP2866X引脚兼容*     集成600V超快恢复二极管*     无VCC电容、无启动电阻*     集成高压供电功能*     低母线电压下不闪灯*     ±5%LED输出电流精度*     L

一,主要概述             BP2861MK是一款降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式,适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。        BP2861MK芯片内部集成500V功率开关，采用栅极退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。        BP2861MK芯片采用内置高精度的电流采样电路和恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。       BP2861MK具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片温度过热调节等。       BP2861MK采用SOP7封装。二，主要特点*     与BP2866X引脚兼容*     集成600V超快恢复二极管*     无VCC电容、无启动电阻*     集成高压供电功能*     低母线电压下不闪灯*     ±5%LED输出电流精度*     L

快恢复二极管 US1D-13-F 整流器 品牌： DIODES型号： US1D-13-F封装： SMA批次： 21+制造商： Diodes Incorporated产品种类： 整流器RoHS： 是安装风格： SMD/SMT封装 / 箱体： SMA-2Vr - 反向电压 ： 200 VIf - 正向电流： 1 A配置： SingleVf - 正向电压： 1 V最大浪涌电流： 30 AIr - 反向电流 ： 5 uA恢复时间： 50 ns最小工作温度： - 65 C最大工作温度： + 150 C系列： US1D高度： 2.1 mm长度： 4.6 mm端接类型： 2.92 mm宽度： 64 mg

一,主要概述             BP2861XK 是一款降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式,适用 于85Vac~265Vac 全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。        BP2861XK 芯片内部集成500V功率开关，采用栅极退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。        BP2861XK 芯片采用内置高精度的电流采样电路和恒流控制技术，实现高精度的 LED 恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和 LED 工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。       BP2861XK 具有多重保护功能，包括 LED 短路保护，芯片温度过热调节等。       BP2861XK 采用 SOP7 封装。二，主要特色*     与 BP2866X 引脚兼容*     集成 600V 超快恢复二极管*     无 VCC 电容、无启动电阻*     集成高压供电功能*     低母线电压下不闪灯*    

SFN10A600 KODENSHI AUK一级代理 快恢复/超快恢复二极管   深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业.  奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商.  本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、LED台灯等控制器为顾客提供最佳解决方案，受到广大客户的一致赞誉。  奥伟斯科技优势行业集中在家用电器和汽车电子领域，包括：智能电子锁、饮水机、抽烟机、空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、电饭煲、电磁炉、微波炉、电动自行车、汽车仪表、汽车音响、汽车空调等。销售网络覆盖华东、华南及华北地区。   奥伟斯科技已为众多世界著名企业提供服务如：美的、小米、云米、长虹、创维、三星、LG、飞利浦、TCL、海尔、美菱、沁园、等众多中国一流品牌电家厂商   奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管主要品牌产品:OWEIS-TECHOWEIS触摸芯片 OWEIS接口芯片 OWEIS电源芯片 OWEIS语音芯片 OWEIS场效应管 一.电容式触摸芯片ADSEMI触

快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。　　主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。　　快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，其反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压较高。　　快恢复二极管有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85n的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。　　快恢复二极管所在电路在使用过程中，出现了问题，那么如何测试快恢复二极管的好坏呢？　　一、将万用表置于Rx1k挡，测快恢复二极管的正、反向电阻，正向电阻一般为几欧姆，反向电阻为∞，如果测得的阻值均为∞或为0，则表明被测管子损坏。　　二、快恢复二极管的对管检测方法与上述方法基本相同，但必须首先确定其共用端是哪个引脚，然后再用上述方法对各个快恢复二极管进行检测。　　MDD快恢复二极管损坏的原因有哪些？　　在电路使用中，如若你发现快恢复二极管有所损坏，那你知道快恢复二极管损坏的原因有哪些吗？　　一、使用电压过高，超过快恢复二极管的反向击穿电压，被击穿。　　二、电流过大，通过快恢复二极管的电流长时间超过其额定电流，过热烧毁，这个是比较常见的原因。　　三、买到低频二极管用在高频电路中，造成二极管过热烧毁。　　四、快恢复二极管规格型号不符。更换新二极管时错将工作参数不符合要求

DSEI2X101-12A DSEI2x101-06AAPT2X101DQ100J APT2X101DQ120JIXFN360N10T IXFN420N10TAPT2X100D60J APT2X100D100JIXFN55N50 IXFN55N50F IXFN44N50 IXFN44N50Q IXFN300N10PIXFN38N100Q2现货DSEI2X61-12B

 US1J-13-F DIODES/美台 超快恢复二极管  深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业.  奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商.  本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、LED台灯等控制器为顾客提供最佳解决方案，受到广大客户的一致赞誉。  奥伟斯科技优势行业集中在家用电器和汽车电子领域，包括：智能电子锁、饮水机、抽烟机、空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、电饭煲、电磁炉、微波炉、电动自行车、汽车仪表、汽车音响、汽车空调等。销售网络覆盖华东、华南及华北地区。   奥伟斯科技已为众多世界著名企业提供服务如：美的、小米、云米、长虹、创维、三星、LG、飞利浦、TCL、海尔、美菱、沁园、等众多中国一流品牌电家厂商   奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管主要品牌产品:OWEIS-TECHOWEIS触摸芯片 OWEIS接口芯片 OWEIS电源芯片 OWEIS语音芯片 OWEIS场效应管 一.电容式触摸芯片ADSEMI触摸芯片代理 

一，主要描述                S9270V是一款高度集成的离线非隔离LED恒流开关芯片。 芯片内置了高压JFET供电、高压功率MOS管、整流桥以及快恢复续流二极管，简化了系统外围，有效降低了系统成本。           S9270V采用临界准谐振工作模式实现系统的高效率。可使用更小尺寸的电感，无续流二极管的反向恢复问题，无需任何补偿电路；内置线电压补偿，无需增加电流补偿电路便可满足±3%的电流精度。           S9270V内置500VH压功率管，并且集成高压自供电技术，无需VCC电容和供电电阻，轻松实现全范围输入电压。           S9270V还集成了多种保护功能：欠压锁定、前沿消隐、过流保护、LED开路保护、LED短路保护，大大增加了系统的稳定性。二，主要特点■    集成800V整流桥■    内置600V续流二极管■    无VCC电容，无启动电阻■    集成高压JFET供电■    高效的临界工作模式■    ±3%的输出恒流精度■    内置500V功率管■    输出OVP内置，感量调节■  &nb

MUR10400CT深圳市联大实业公司，是一家集代理和销售为一体的电子元器件的公司，公司从创建以来一直致力于为电器、电源及数码行业的元器件配套服务，凭着优质的产品质量、稳定的供货渠道和完美的售后服务体系，赢得了广大客户和市场的信赖，并与国内外众多的生产厂家建立了良好的合作关系。现公司从事经营的产品涉及军工、民用、通信、计算机、医疗等领域，包括普通、特种、高精度的各类电子元器件，其中主导产品为电源配套的二三极管、场效应管及IC.有着丰富的经验和的素质，高度敬业精神，能为客户提供质的服务。 双赢互利是我们的一贯经营理念。我们期盼与业内朋友放眼世界、展望未来、携手并进、齐享高科技的结晶、共创辉煌！ 　　优势：价格好、库存多、交货快。 品牌：IR、ST、FAIRCHILD、NXP、WSIDOM、MPS、TI、ON、VISHAY及国内品牌二、三极管和各类偏冷门和军级民用IC产品。 　　品质：质量保证、可提供产品承认书。 服务：如需寻找任何电子元件，请随时与我们联系，谦虚有礼的人员会为您解答各种问题，提供服务。阮先生：13622307677Q Q: 653152113

BYV29X-600 NXP 快恢复二极管 奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管 OWEIS奥伟斯触摸芯片：JM01S JM02S JM04S JM08S JM12MCOWEIS奥伟斯电源芯片: JM2575S/TO263-5 JM2575T/TO220-5 JM2576S/TO263-5 JM2576T/TO220-5 JM2596S/TO263-5 JM2596T/TO220-5OWEIS奥伟斯接口芯片:JM485S JM3485S JM232S JM3232S JM1040S ADS触摸芯片：TS01S AWS01 TS02NT TS04 TS06 TS08NT TS08NC TS08NE TS08P TS12 TSM12S TSM12MC TSM16C TS20博晶微/晶尊微触摸芯片:SC01A SC02A SC04A SC05A SC09A SC12A通泰触控芯片: TTP223-BA6 TTP223-CA6 TTP233D-BA6 TTP233D-HA6 TTP233D-RB6 TTP233D-SB6低功耗触摸按键芯片: TTY6952B BS83B12A-3 BS83B16A-3 低功耗单片机:STM8L052C6T6 STM8L052R8T6 STM8L152C6T6 STM8L152R8T6 STM32L151C8T6 STM32L152RBT6 STM32L051C8T6 指纹识别芯片:AS608 Q

一，主要概述      BP2863MD是一款高精度降压型的 LED 恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界模式，适用于全范围 85Vac~265Vac 输入电压的非隔离降压型LED 恒流电源      BP2863MD 芯片内部集成 500V功率开关，采用栅极退{检测技术和高压供电技术，无需 VCC 电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了系统的成本和体积。      BP2863MD 芯片带有高精度的电流采样电路，同时采用恒流控制技术，实现高精度的 LED 恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流7随电感量和 LED 工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。      BP2863MD具有多重保护功能，包括LED短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节功能等。      BP2863MD 采用 ASOP7封装。二，主要特点■       集成 800V 整流桥■       集成 600V超快恢复二极管■       无VCC 电容、无启动电阻■       采用 ASOP7 封装■       内部集成 500V功率管■       集成高压供电功能■       电感电流临界连续模式■ &n

一，主要概述        BP2863XC系列 是一款高精度降压型 LED 恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于全范围 85Vac~265Vac输入电压的非隔离降压型LED 恒流电源。       BP2863XC系列芯片内部集成 500V 功率开关，采用栅极退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。        BP2863XC系列芯片带有高精度的电流采样电路，同时采用恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。        BP2863XC系列具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片供电欠压保护，芯片温度过热调节等。        BP2863XC系列采用ASOP7封装。  二，主要特点 ◼ 集成 800V 整流桥 ◼