TAJB335M016RNJ

TAJB335M016RNJ_TAJB335M016RNJ导读

有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

TLJF227M010R0300

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

TAJA336M002RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。

NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

相关资讯