CSD17310Q5A

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSONP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV

Qg-栅极电荷: 8.9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.1 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

系列: CSD17310Q5A

商标: Texas Instruments

配置: Single

开发套件: TPS40007EVM-001, TPS51220EVM

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 85 S

高度: 1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 11.6 ns

包装数量：2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 15 ns

典型接通延迟时间: 6.5 ns

宽度: 4.9 mm

单位重量: 280 mg