bychip可替代AP2309GN

bychip可替代AP2309GN导读

这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。

由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，"PMOS Vt从0.6V上升到0.7V"， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

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3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。

MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

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场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。ID(导通电流) 最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。

这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

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