bychip可替代APM2701ACC-TRG

bychip可替代APM2701ACC-TRG导读

2、金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）（本文的主角）。场效应管主要有两种类型： 1、结型场效应管（junction FET—JFET)（不是本文讨论范围）。

基础知识中 MOS 部分迟迟未整理，实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管， 今天势必要来一篇文章，彻底掌握mos管！。

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3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。

VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。

FDS4435-NL

MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。在 MOS管中，半导体材料通常是硅。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。

APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。

如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。

P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

文章来源：www.bychip.cn