深圳市宏捷佳电子 供应IRFB4115PBF原装现货
日期：2013-10-31| 数据列表 | IRFB4115PBF.html" target="_blank" title="IRFB4115PBF">IRFB4115PBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High VOLTAGE Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFB4115PBF Saber Model IRFB4115PBF Spice Model |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立式导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 104A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 62A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |