IRS2304高速功率MOSFET (600V) IRS2304STRPBF IGBT驱动器
日期:2015-1-13品牌:IR
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
系列:-
配置:半桥
输入类型:非反相
延迟时间:150ns
电流 - 峰:290mA
配置数:1
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):600V
电源电压:10 V ~ 20 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:带卷 (TR)
标准包装:2,500
封装:SOP-8
数量:98600
单价:面议
描述:IRS2108 / IRS21084高电压年龄,高速功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖高,低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使加固单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或兼容LSTTL输出,下降至3.3 V逻辑。该输出驱动器具有高脉冲电流租缓冲级,最低驱动跨导。浮置沟道,可以用来驱动一个在工作频率高达600 V的高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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