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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • RF1S30P06SM图
  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • RF1S30P06SM
  • 数量85000 
  • 厂家
  • 封装TO-263AB 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • RF1S30P06SM9AS
  • 数量4850 
  • 厂家INTERSIL 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • RF1S30P06SM
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装TO-263-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量72649 
  • 厂家INTERL 
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  • 批号25+23+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • RF1S30P06SM MOS(场效应管)
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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • RF1S30P06SM
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  • 封装TO263 
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  • 深圳市楷兴电子科技有限公司

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  • RF1S30P06SM
  • 数量10500 
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  • 原装现货库存可出样品
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量12000 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RF1S30P06SM的概述

芯片RF1S30P06SM的概述 RF1S30P06SM是一款高性能的功率MOSFET元件,属于N沟道增强型MOSFET系列。此芯片广泛应用于工业和消费电子领域,尤其是在电源管理、电机控制和开关电路等场合。RF1S30P06SM以其出色的热性能和高效的开关特性,满足现代电子设备对功率转换的高要求。...
配单直通车
RF1S30P06SM产品参数
型号:RF1S30P06SM
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.15
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.065 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):135 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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