SQJ886EP-T1_GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK® SO-8

制造商：Vishay Siliconix

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 15.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：65nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2922pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：55W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

标准包装：3,000

其它名称：SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1-GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3TR