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  • sqj886ep-t1_ge3
  • 八零友创集团

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  • SQJ886EP-T1_GE3
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家VISHAY(威世) 
  • 封装PowerPAK-SO-8-4 
  • 批号21+ 
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SQJ886EP-T1_GE3产品参数和技术文档

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SQJ886EP-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.60101
$1,803.04

SQJ886EP-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK® SO-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 15.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):65nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2922pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):55W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

标准包装:3,000

其它名称:SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1-GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3TR

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