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SQM110N05-06L_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
1.63530
$1,308.24

SQM110N05-06L_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO263

详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 157W(Tc) TO-263(D2Pak)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):110nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4440pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):157W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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