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    • ZTX658Q图

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    • ZTX658Q
    • 数量14503 
    • 厂家DIODES 
    • 封装E-Line 
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
    • ZTX658QSTZ图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ZTX658QSTZ
    • 数量36218 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装TO-92-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥3.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • ZTX658QSTZ图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • ZTX658QSTZ
    • 数量660000 
    • 厂家Diodes(达尔（美台）) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
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    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • ZTX658QSTZ图

    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • ZTX658QSTZ
    • 数量34931 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装NA 
    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
    • ZTX658QSTZ图

    • 深圳市能元时代电子有限公司

       该会员已使用本站10年以上
    • ZTX658QSTZ
    • 数量50000 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装NA 
    • 批号24+ 
    • 公司原装现货可含税！假一罚十！
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    • 0755-84502810 QQ:2885637848QQ:2885658492

    产品型号ZTX658Q的Datasheet PDF文件预览

    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
    ZTX658  
    ISSUE 2 – APRIL 2002  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    400 Volt VCEO  
    0.5 Amp continuous current  
    P
    tot=1 Watt  
    APPLICATIONS  
    Telephone dialler circuits  
    C
    B
    E
    *
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    400  
    400  
    5
    V
    V
    Peak Pulse Current  
    1
    A
    Continuous Collector Current  
    IC  
    500  
    mA  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    derate above 25°C  
    Ptot  
    1
    5.7  
    W
    mW/ °C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    °C  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN.  
    TYP.  
    MAX. UNIT  
    CONDITIONS.  
    Collector-Base  
    Breakdown Voltage  
    V(BR)CBO 400  
    V
    IC=100µA  
    Collector-Emitter  
    V(BR)CEO) 400  
    V
    V
    IC=10mA*  
    IE=100µA  
    VCB=320V  
    VCE=320V  
    VEB=4V  
    Breakdown Voltage  
    Emitter-Base  
    Breakdown Voltage  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    5
    Collector Cut-Off  
    Current  
    100  
    100  
    100  
    nA  
    nA  
    nA  
    Collector Cut-Off  
    Current  
    ICBO  
    Emitter Cut-Off Current IEBO  
    Collector-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VCE(sat)  
    0.3  
    0.25  
    0.5  
    V
    V
    V
    IC=20mA, IB=1mA  
    IC=50mA, IB=5mA*  
    IC=100mA, IB=10mA*  
    Base-Emitter  
    VBE(sat)  
    VBE(on)  
    0.9  
    V
    IC=100mA, IB=10mA*  
    Saturation Voltage  
    Base-Emitter  
    Turn On Voltage  
    0.9  
    V
    IC=100mA, VCE=5V*  
    Static Forward Current hFE  
    Transfer Ratio  
    50  
    50  
    40  
    IC=1mA, VCE=5V*  
    IC=100mA, VCE=5V*  
    IC=200mA, VCE=10V*  
    3-229  
    ZTX658  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Transition Frequency fT  
    50  
    MHz  
    IC=20mA, VCE=20V  
    f=20MHz  
    Output capcitance  
    Switching times  
    Cobo  
    10  
    pF  
    VCB=20V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    130  
    3300  
    ns  
    ns  
    IC=100mA, VC=100V  
    IB1=10mA, IB2=-20mA  
    * Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance:Junction to Ambient1  
    Junction to Ambient2  
    Rth(j-amb)1  
    Rth(j-amb)2  
    Rth(j-case)  
    175  
    116  
    70  
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    †
    Junction to Case  
    † Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
    2.5  
    2.0  
    200  
    D=1 (D.C.)  
    t
    1
    D=t1/tP  
    Case temperature  
    t
    P
    1.5  
    100  
    D=0.5  
    A
    1.0  
    0.5  
    0
    m
    bient tem  
    D=0.2  
    perat  
    u
    re  
    D=0.1  
    Single Pulse  
    0
    0.0001 0.001  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-230  
    ZTX658  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    +175°C  
    I
    C B  
    =10  
    /I  
    IC/IB=20  
    C B  
    /I =50  
    Tamb=25°C  
    C B  
    I /I =10  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    I
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10 20  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10 20  
    IC  
    - Collector Current (Amps)  
    IC  
    - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    V
    C
    CE(sat)  
    V
    C
    v I  
    v I  
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    +175°C  
    +100°C  
    +25°C  
    -55°C  
    VCE=10V  
    C B  
    I /I =10  
    1.6  
    1.4  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    300  
    200  
    100  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.001  
    0.2  
    0
    0.01  
    0.1  
    10 20  
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10 20  
    IC  
    - Collector Current (Amps)  
    IC  
    - Collector Current (Amps)  
    BE(sat)  
    FE  
    h
    C
    v I  
    C
    v I  
    V
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    1.0  
    0.1  
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    +175°C  
    VCE=10V  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    D.C.  
    1s  
    100ms  
    10ms  
    0.01  
    1.0ms  
    0.1ms  
    0.2  
    0
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10 20  
    0.001  
    1
    10  
    100  
    1000  
    I
    C
    - Collector Current (Amps)  
    BE(on) v I  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    V
    C
    Safe Operating Area  
    3-231  

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