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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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ZXMN6A08GTA产品参数
型号:ZXMN6A08GTA
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
零件包装代码:TO-261AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:17 weeks
风险等级:1
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):3.8 A
最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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