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    BS616UV4016EIG10 参数 Datasheet PDF下载

    BS616UV4016EIG10图片预览
    型号： BS616UV4016EIG10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Ultra Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第11页  
    BS616UV4016
    n
    包装尺寸（续）
    笔记
    :
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.2最大。
    球间距E = 0.75
    D
    8.0
    E
    6.0
    N
    48
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    D1
    e
    视图A
    48微型BGA （6× 8毫米）
    E1
    R0201-BS616UV4016
    10
    修订版1.6
    五月。
    2006

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