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    BS616UV4016EIG10 参数 Datasheet PDF下载

    BS616UV4016EIG10图片预览
    型号： BS616UV4016EIG10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Ultra Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第11页  
    BS616UV4016
    n
    订购信息
    BS616UV4016
    X
    X
    Z
    YY
    速度
    10 ： 100纳秒
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿色，符合RoHS
    P：无铅，符合RoHS要求
    GRADE
    C: +0
    o
    C ~ +70
    o
    C
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    D： DICE
    答： BGA - 48-0608
    E： TSOP II - 44
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
    没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
    在显著伤害或死亡，其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
    n
    包装尺寸
    TSOP II- 44
    R0201-BS616UV4016
    9
    修订版1.6
    五月。
    2006

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