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    BS616UV4016EIG10 参数 Datasheet PDF下载

    BS616UV4016EIG10图片预览
    型号： BS616UV4016EIG10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Ultra Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第9页  
    BS616UV4016
    n
    绝对最大额定值
    符号
    V
    TERM
    T
    BIAS
    T
    英镑
    P
    T
    I
    OUT
    (1)
    n
    工作范围
    单位
    V
    O
    参数
    与端电压
    对于GND
    高温下
    BIAS
    储存温度
    功耗
    直流输出电流
    等级
    -0.5
    (2)
    5.0
    -40到+125
    -60到+150
    1.0
    20
    RANG
    广告
    产业
    环境
    温度
    0
    O
    C至+ 70
    O
    C
    -40
    O
    C至+ 85
    O
    C
    V
    CC
    1.8V ~ 3.6V
    1.9V ~ 3.6V
    C
    C
    O
    W
    mA
    n
    电容
    (1)
    (T
    A
    = 25°C ， F = 1.0MHz的）
    O
    符号PAMAMETER条件MAX 。单位
    C
    IN
    C
    IO
    输入
    电容
    输入/输出
    电容
    V
    IN
    = 0V
    V
    I / O
    = 0V
    6
    8
    pF
    pF
    1.强调高于绝对下上市
    最大额定值可能会造成永久性损坏
    装置。这是一个额定值只和功能操作
    该设备在这些或以上的任何其他条件
    在业务部门所标明的这个规范不是
    暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
    长时间会影响其可靠性。
    2.
    –2.0V
    的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
    1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
    n
    DC电气特性（T
    A
    = -40°C至+ 85°C ）
    参数
    名字
    V
    CC
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    LO
    V
    OL
    V
    OH
    I
    CC
    I
    CC1
    I
    CCSB
    I
    CCSB1
    (5)
    参数
    电源
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    O
    O
    测试条件
    分钟。
    1.9
    -0.3
    (2)
    1.4
    2.2
    --
    典型值。
    (1)
    --
    马克斯。
    3.6
    0.6
    0.8
    单位
    V
    输入低电压
    --
    V
    输入高电压
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    --
    V
    CC
    +0.3
    (3)
    V
    输入漏电流
    V
    IN
    = 0V至V
    CC
    V
    I / O
    = 0V至V
    CC
    ,
    CE = V
    IH
    或OE = V
    IH
    V
    CC
    =最大，我
    OL
    = 0.1毫安
    V
    CC
    =最大，我
    OL
    = 2.0毫安
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =2.0V
    V
    CC
    =3.0V
    --
    1
    uA
    输出漏电流
    --
    --
    1
    0.2
    0.4
    uA
    输出低电压
    --
    1.6
    2.4
    --
    --
    V
    输出高电压
    工作电源
    当前
    工作电源
    当前
    待机电流
    –
    TTL
    V
    CC
    =最小，我
    OH
    = -0.1mA
    V
    CC
    =最小，我
    OH
    = -1.0mA
    CE = V
    IL
    ,
    I
    IO
    = 0毫安中，f = F
    MAX(4)
    CE = V
    IL
    ,
    I
    IO
    = 0毫安， F = 1MHz的
    CE = V
    IH
    ,
    I
    IO
    = 0毫安
    CE = V
    CC
    -0.2V
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    --
    --
    12
    15
    V
    --
    mA
    --
    --
    1.0
    2.0
    mA
    --
    --
    0.1
    0.25
    0.5
    1.0
    mA
    待机电流
    –
    CMOS
    --
    2.0
    4.0
    uA
    1.典型的特点是在T
    A
    =25
    O
    C和不是100 ％测试。
    2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
    3.过冲： V
    CC
    + 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
    4. F
    最大
    =1/t
    RC 。
    5. I
    CC （ MAX 。 ）
    为10mA / 13毫安在V
    CC
    = 2.0V / 3.0V和T
    A
    =70
    O
    C.
    6. I
    CCSB1(MAX.)
    为1.0uA / 2.0uA在V
    CC
    = 2.0V / 3.0V和T
    A
    =70
    O
    C.
    R0201-BS616UV4016
    3
    修订版1.6
    五月。
    2006

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