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    BS616UV4016EIG10 参数 Datasheet PDF下载

    BS616UV4016EIG10图片预览
    型号： BS616UV4016EIG10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Ultra Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616UV4016EIG10的Datasheet PDF文件第10页  
    BS616UV4016
    n
    开关波形（读周期）
    读周期1
    (1,2,4)
    t
    RC
    地址
    t
    OH
    D
    OUT
    t
    AA
    t
    OH
    读周期2
    CE
    (1,3,4)
    t
    ACS
    t
    BA
    LB ， UB
    t
    BE
    D
    OUT
    t
    CLZ
    (5)
    t
    CHZ
    t
    BDO
    (5)
    读周期3
    (1, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CE
    t
    CLZ
    LB ， UB
    (5)
    t
    OH
    t
    OLZ
    t
    OHZ
    t
    CHZ
    t
    BA
    t
    BE
    t
    BDO
    (5)
    (1,5)
    D
    OUT
    注意事项：
    1.我们是高读周期。
    2.设备不断选择当CE = V
    IL
    .
    3.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
    4. OE = V
    IL
    .
    5.转换测量
    ±
    为500mV从稳定状态用C
    L
    = 5pF的。
    该参数是保证，但不是100 ％测试。
    R0201-BS616UV4016
    6
    修订版1.6
    五月。
    2006

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