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BS616UV4016EIG10 参数 Datasheet PDF下载

BS616UV4016EIG10图片预览
型号: BS616UV4016EIG10
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Ultra Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616UV4016
n
AC电气特性(T
A
= -40°C至+ 85°C )
读周期
JEDEC
参数
名字
PARANETER
名字
周期时间: 100ns的
(V
CC
=1.9~3.6V)
分钟。
典型值。
马克斯。
100
--
( CE)
( LB , UB )
--
--
--
( CE)
( LB , UB )
15
15
15
( CE)
( LB , UB )
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
50
--
--
--
40
40
40
--
O
O
描述
单位
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
数据字节控制到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R0201-BS616UV4016
5
修订版1.6
五月。
2006