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HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

HMS12864F8V-12图片预览
型号: HMS12864F8V-12
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内容描述: SRAM模块1M字节( 128K ×64位) , 120引脚SMM , 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 82 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
建议的直流工作条件
( TA = 0 〜70 ℃)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
*
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0V
0
2.2
-0.5*
典型值。
3.3V
0
-
-
HMS12864F8V
最大
3.6V
0
Vcc+0.5V**
0.8V
V
IL
(分钟) = -2.0V交流(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20毫安
**
V
IH
(最小值) = VCC + 2.0V AC(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20毫安
DC及经营特色( 1 ) ( 0
oC
TA
70摄氏度; VCC = 3.3V
±
10% )
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
* VCC = 3.3V ,温度= 25℃
测试条件
VIN = VSS到Vcc
/ CE = V
IH或/
OE = V
IH
或/ WE = V
IL
V
OUT
= VSS到V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
符号
IL
I
IL
0
V
OH
V
OL
-16
-16
2.4
0.4
最大
16
16
单位
µA
µA
V
V
DC及经营特色( 2 )
描述
测试条件
分钟。周期, 100 %占空比
/ CE = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
,
I
OUT
=0mA
分钟。周期/ CE = V
IH
F = 0MHz处, / CE≥V
CC
-0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
SB
I
SB1
240
40
240
40
240
40
mA
mA
I
CC
600
584
560
mA
符号
最大
-12
-15
-20
单位
电源
当前位置:工作
电源
电流:待机
电容
( TA = 25℃ , F = 1.0MHz的)
描述
输入/输出电容
输入电容
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
符号
C
I / O
C
IN
最大
64
48
单位
pF
pF
*注:电容采样,而不是100 %测试
9
韩光电器有限公司。