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    HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

    HMS12864F8V-12图片预览
    型号： HMS12864F8V-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SRAM模块1M字节（ 128K ×64位） ， 120引脚SMM ， 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
    分类和应用： 存储静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 82 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    读周期的时序波形
    （ / CE控制）
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    / CE
    t
    LZ(4,5
    )
    / OE
    t
    OLZ
    数据输出
    高-Z
    t
    PU
    50%
    t
    OE
    t
    CO
    HMS12864F8V
    t
    HZ(3,4,5)
    t
    OHZ
    t
    OH
    VCC电源
    当前
    l
    CC
    l
    SB
    t
    PD
    50%
    笔记
    （读周期）
    1 / WE高读周期。
    2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    3. t
    HZ
    和T
    OHZ
    被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
    OH
    或V
    OL
    的水平。
    4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
    HZ
    （最大）小于吨
    LZ
    （分钟）都对于给定的设备和从设备
    到设备。
    5.转换测量
    ±
    200mV的从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
    6.设备，不间断地与/ CE = V选择
    IL
    .
    7.解决之前，暗合/ CE过渡低有效。
    12
    韩光电器有限公司。

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