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HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

HMS12864F8V-12图片预览
型号: HMS12864F8V-12
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内容描述: SRAM模块1M字节( 128K ×64位) , 120引脚SMM , 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 82 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
写周期时序波形
( / OE =时钟)
t
WC
HMS12864F8V
地址
t
AW
t
WR(5)
/ OE
t
CW(3)
/ CE
t
AS(4)
t
WP(2)
/ WE
t
DW
t
DH
高-Z
数据有效
t
OHZ(6)
t
OW
高-Z
DATA IN
数据输出
写周期时序波形
( / OE低固定)
t
WC
地址
t
AW
t
CW(3)
t
WR(5)
/ CE
t
AS(4)
t
OH
t
WP(2)
/ WE
t
DW
t
DH
数据有效
DATA IN
高-Z
t
WHZ(6,7)
t
OW
High-Z(8)
(10)
(9)
数据输出
注( WRITE
循环)
1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
2.低/ CE的重叠和低/我们在写操作发生。写在开始之间的过渡最新
/ CE变低和/ WE变低​​:在中/ CE将高/我们要高最早的转变写入结束。
t
WP
从写入的开始写的末端测量。
3. t
CW
从/ CE后期会低到写结束时开始算起。
4. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
13
韩光电器有限公司。