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    HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

    HMS12864F8V-12图片预览
    型号： HMS12864F8V-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SRAM模块1M字节（ 128K ×64位） ， 120引脚SMM ， 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
    分类和应用： 存储静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 82 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMS12864F8V-12的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HMS12864F8V
    5. t
    WR
    从写入地址变更的端部测量的。吨
    WR
    在适用的情况下写的结束/ CE或/我们要高。
    6.如果/ OE ， / CE和/我们在这期间读模式，在I / O引脚输出低电平-Z状态。相反的投入
    输出的相位不能被应用，因为总线争用可能发生。
    7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读和
    写周期。
    8.如果/ CE同时变为低配/ WE变低​​或之后/我们要低，输出保持高阻态。
    9. D
    OUT
    是新的地址的读数据。
    10.当/ CE为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位的输入信号，导致输出
    不宜应用。
    功能说明
    / CE
    H
    L
    L
    L
    / WE
    X*
    H
    H
    L
    / OE
    X
    H
    L
    X
    模式
    不选择
    输出禁用
    读
    写
    I / O引脚
    高-Z
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    电源电流
    l
    SB
    , l
    SB1
    l
    CC
    l
    CC
    l
    CC
    注意：
    X表示不关心
    包装信息
    14
    韩光电器有限公司。

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