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HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

HMS12864F8V-12图片预览
型号: HMS12864F8V-12
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内容描述: SRAM模块1M字节( 128K ×64位) , 120引脚SMM , 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 82 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
-12
12
8
0
8
8
0
0
6
0
3
6
最大
15
9
0
9
9
0
0
7
0
3
7
-15
最大
HMS12864F8V
-20
20
10
0
10
910
0
0
8
0
3
8
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序图
读周期时序波形(地址
控制) ( / CE = / OE = V
IL
, / WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
11
韩光电器有限公司。