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HY57V283220TP-P 参数 Datasheet PDF下载

HY57V283220TP-P图片预览
型号: HY57V283220TP-P
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内容描述: 4银行X 1M X 32位同步DRAM [4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 914 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
Ball CONFIGURATION ( HY5V22(L)F(P) Series)
1
A
DQ26
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ24
VSS
VDD
DQ23
DQ21
B
DQ28
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ19
C
VSSQ
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
VDDQ
D
VSSQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VDDQ
E
VDDQ
DQ31
NC
NC
DQ16
VSSQ
F
VSS
DQM3
A3
A2
DQM2
VDD
G
A4
A5
A6
A10
A0
A1
H
A7
A8
NC
Top View
NC
BA1
A11
J
CLK
CKE
A9
BA0
/CS
/RAS
K
DQM1
NC
NC
/CAS
/WE
DQM0
L
VDDQ
DQ8
VSS
VDD
DQ7
VSSQ
M
VSSQ
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VDDQ
N
VSSQ
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VDDQ
P
DQ11
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ4
R
DQ13
DQ15
VSS
VDD
DQ0
DQ2
Ball DESCRIPTION
PIN
CLK
CKE
CS
BA0, BA1
A0 ~ A11
Clock
Clock Enable
Chip Select
Bank Address
Address
Row Address Strobe,
Column Address Strobe, Write
Enable
Data Input/Output Mask
Data Input/Output
Power Supply/Ground
Data Output Power/Ground
No Connection
PIN NAME
DESCRIPTION
The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the rising edge
of CLK.
Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will be one of the states
among power down, suspend or self refresh
Enables or disables all inputs except CLK, CKE and DQM
Selects bank to be activated during RAS activity
Selects bank to be read/written during CAS activity
Row Address : RA0 ~ RA11, Column Address : CA0 ~ CA7
Auto-precharge flag : A10
RAS, CAS and WE define the operation
Refer function truth table for details
Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode
Multiplexed data input / output pin
Power supply for internal circuits and input buffers
Power supply for output buffers
No connection
RAS, CAS, WE
DQM0~3
DQ0 ~ DQ31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
Rev. 0.9 / July 2004
4