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K6X8016T3B-TF70 参数 Datasheet PDF下载

K6X8016T3B-TF70图片预览
型号: K6X8016T3B-TF70
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内容描述: 512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM [512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 131 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6X8016T3B Family
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
t
WC
Address
t
CW(2)
CS
t
AW
t
BW
t
WP(1)
WE
t
AS(3)
t
DW
Data in
High-Z
t
WHZ
Data out
Data Undefined
Data Valid
t
OW
t
DH
t
WR(4)
CMOS SRAM
UB, LB
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
t
WC
Address
t
AS(3)
CS
t
AW
t
BW
UB, LB
t
WP(1)
WE
t
DW
Data in
Data Valid
t
DH
t
CW(2)
t
WR(4)
Data out
High-Z
High-Z
7
Revision 1.0
September 2003