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K7Q161854A-FC16 参数 Datasheet PDF下载

K7Q161854A-FC16图片预览
型号: K7Q161854A-FC16
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内容描述: 512Kx36位, 1Mx18位QDR SRAM [512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 511 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7Q163654A
K7Q161854A
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
B4 SRAM
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
K7Q161854A(1Mx18)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
/ SA *
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
NC / SA *
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
V
SS
/ SA *
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
NC
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
注意事项:
1. *选中引脚为高密度的地址,即3A为32MB, 10A为64兆和2A为128Mb的保留。
2. BW
0
控制写入D0 : D8和BW
1
控制写入D9 : D17 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
SA
D
0-17
Q
0-17
W
R
BW
0
, BW
1
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
PIN号码
6B ,6A
6P , 6R
9A,4B,8B,5C,7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,3B,3C,2D,
3F,2G,3J,3L,3M,2N
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,2B,3D,3E,
2F,3G,3K,2L,3N,3P
4A
8A
7B , 5A
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
2A,10A,4C,8C,4D-8D,5E-7E,
6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,4M-8M,4N,8N
10R
11R
2R
1R
1A,3A,7A,11A,1B,5B,9B,10B,1C,2C,6C,9C,1D,9D,10D,
1E,2E,9E,1F,9F,10F,1G,9G,10G,1H,1J,2J,9J,1K,2K,
9J,1L,9L,10L,1M,2M,9M,1N,9N,10N,1P,2P,9P
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
地址输入
数据输入
数据输出
写控制
读控制
字节写控制
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制
电源( 2.5V )
输出电源( 1.5V或1.8V )
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
1
笔记
注意事项:
1.使用C,C ,K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值,并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
-3-
七月。 2002年
1.0版