K7Q163654A
K7Q161854A
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
B4 SRAM
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
K7Q163654A(512Kx36)
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
NC
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
V
SS
/ SA *
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
NC / SA *
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
2
BW
3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
BW
1
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
NC / SA *
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
10
V
SS
/ SA *
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
NC
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
注意事项：
1. *选中引脚为高密度的地址，即9A为32MB， 3A为64MB， 10A为128兆和2A为256Mb的保留。
2. BW
0
控制写入D0 ： D8 ， BW
1
控制写入D9 ： D17 ， BW
2
控制写入D18 ： D26和BW
3
控制写入D27 ： D35 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
SA
D0-35
PIN号码
6B ，6A
6P ， 6R
4B,8B,5C,7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,10N,9M,9L
9J,10G,9F,10D,9C,9B,3B,3C,2D,3F,2G,3J,3L,3M,2N
1C,1D,2E,1G,1J,2K,1M,1N,2P
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,9P,9N,10L
9K,9G,10F,9E,9D,10B,2B,3D,3E,2F,3G,3K,2L,3N
3P,1B,2C,1E,1F,2J,1K,1L,2M,1P
4A
8A
7B,7A,5A,5B
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
2A,10A,4C,8C,4D-8D,5E-7E,
6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,
10R
11R
2R
1R
1A,3A,9A,11A,6C,1H
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
地址输入
数据输入
1
笔记
Q0-35
W
R
BW
0
， BW
1,
BW
2
， BW
3
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
数据输出
写控制引脚
阅读控制引脚
字节写控制引脚
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制
电源（ 2.5V ）
输出电源（ 1.5V或1.8V ）
地
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
注意事项：
1.使用C，C ，K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值，并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
-4-
七月。 2002年
1.0版
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
