KM29W040AT ， KM29W040AIT
512K ×8位NAND闪存
特点
•
电源电压： 3.0V 〜 5.5V
•
组织
- 存储单元阵列： 512K ×8
- 数据寄存器
： 32 ×8位
•
自动编程和擦除（典型值）
- 框架计划： 32字节在500微秒
- 块擦除： 4K字节在6ms的
•
32字节帧读操作
- 随机存取：为15μs （最大）
- 串行帧访问： 120ns的（最小）
•
命令/地址/数据多路复用I / O端口
•
低工作电流（典型值）
- 10μA待机电流
- 10毫安读/编程/擦除电流
•
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
•
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
FL灰内存
概述
该KM29W040A是512Kx8bit NAND闪存。其
NAND单元结构提供了最具有成本效益的解决方案
对于数码录音。编程操作方案
在典型的500μs的32字节帧和擦除操作擦除
在通常6ms的一个4K字节的块。在一帧中的数据可以被读
出在120ns的/字节一个突发周期率。在I / O引脚作为
对地址和数据输入/输出以及为的COM端口
命令的输入。片上写控制器自动化亲
克和擦除操作，包括编程或擦除脉冲
如有需要，而且重复进行内部核查
单元格数据。
该KM29W040A是闪存的最佳解决方案
应用程序，它不要求高的性能水平或
大密度的闪存容量。这些应用程序
包括数据存储在数字电话接听
设备（ TAD）和其他消费应用要求
语音数据的存储。
引脚配置
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
CLE
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
输入地
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
VSS
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VCC
CE
RE
R / B
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
ALE
CE
RE
WE
WP
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
R / B
V
CC
V
SS
N.C
44 （40）， TSOP （II）的
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC,
V
SS
或GND输入端断开。
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SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
