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KM29W040AT 参数 Datasheet PDF下载

KM29W040AT图片预览
型号: KM29W040AT
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内容描述: 512K ×8位NAND闪存 [512K x 8 bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 22 页 / 359 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM29W040AT , KM29W040AIT
图1.功能框图
A
7
- A
18
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
FL灰内存
4M位
NAND闪存阵列
32字节X 4frame X 4096row
A
0
- A
6
页寄存器& S / A
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
I / O
0
全球缓冲区
I / O
7
CLE ALE WP
图2.阵列组织
好块
1Block(32Row)
( 4K字节)
第1块( 4KB )
1帧= 32字节
1行= 4张= 128字节
1块= 32行= 4K字节
1设备= 32B X 4frames X 32rows X 128blocks
= 4Mbits
8位
128字节列
4M : 4K行
( = 128块)
1
2
3
4
帧注册
32字节
I / O
0
- I / O
7
I / O
0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
8
A
16
I / O
1
A
1
A
9
A
17
I / O
2
A
2
A
10
A
18
I / O
3
A
3
A
11
X*
(1)
I / O
4
A
4
A
12
X*
I / O
5
A
5
A
13
X*
I / O
6
A
6
A
14
*X
I / O
7
A
7
A
15
*X
列地址(A
0
-A
4
)
帧地址(A
5
-A
6
)
行地址(A
7
-A
11
)
块地址(A
12
-A
18
)
: *(1) : X可以是V
IL
或V
IH
3