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    RD07MUS2B 参数 Datasheet PDF下载

    RD07MUS2B图片预览
    型号： RD07MUS2B
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    内容描述： RF功率MOS FET硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 527MHz ， 7W [RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,7W]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 14 页 / 561 K
    品牌： MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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    MITSUBISHI RF POWER MOS FET
    ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
    OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
    RD07MUS2B
    Vdd
    RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,7W
    TEST CIRCUIT(f=763-870MHz)
    Vgg
    C1
    21mm W
    W 21mm
    (f=763-870MHz)
    RD07MUS2B
    1mm
    1.5mm
    0.5mm
    150pF
    1pF
    6pF
    12pF
    10pF
    8pF
    6pF
    1pF
    1mm
    12mm
    1mm
    1mm
    16.5mm
    10pF
    8pF
    L1
    150pF
    RF-out
    C2
    22uF,50V
    4.7K Ohm
    19mm
    RF-in
    9mm
    2.5mm
    Note:Board material- Glass-Epoxy Substrate
    Micro strip line width=1.3mm/50OHM,er:4.8,t=0.8mm
    W:Line width=1.0mm
    L1 : 37.8nH, Enameled wire 7Turns,D:0.23mm,1.6mmO.D
    C1,C2 : 1000pF,100pF in parallel
    RD07MUS2B
    MITSUBISHI ELECTRIC
    7/14
    9 Sep 2009

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