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FDMC2610产品参数和技术文档

FDMC2610产品图

FDMC2610产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.79954
$2,398.61

FDMC2610产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.2A(Ta),9.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

制造商:ON Semiconductor

系列:UniFET™

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Ta),9.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 2.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):960pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

标准包装:3,000

其它名称:FDMC2610TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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