3DU系列硅光敏三极管适用于近红外光探测器、光耦合、编码器、特性识别电路、过程控制电路及激光接收电路等。3DU系列硅光敏三极管的主要特性参数见表。 表：3DU系列硅光敏三极管主要特性参数

本文所应用到的相关器件资料：3DG12 3DU511D 达林顿型光敏三极管构成带自锁功能的光电控制继电器电路图

本文所应用到的相关器件资料：3DU511D 3CG12 μA741 达林顿型光敏三极管光触发开关应用电路 由于采用子达林顿型光敏三极管和运放、，所以很微弱的光线即可使电路翻转。当把R1和光敏管的位置对调，或者将运算放大器的反相和同相输入端对调位置，就可以把该电路修改为暗触发开光。

本文所应用到的相关器件资料：3DU511D 555 达林顿型光敏三极管灵敏光控开关应用电路 由于采用了达林顿型光敏三极管做敏感元件，所以对弱光较敏感，适用于对反射光信号的检测。

如图所示电路是带自锁功能的光控继电器开关。因用了达林顿型光敏三极管，故简化了放大电路，仅用一只3DG型中功率晶体管即可驱动继电器。

如图所示语言电路是用光敏三极管进行光控的。它由光控开关和35语音集成电路两部分组成。图中光敏三极管VT1和晶体三极管VT2，电阻R1、R2、R3和电容C1、C2等构成光控开关电路。语音集成电路IC及三极管VT3、电阻R4、R5等构成语音放大电路。平常在光源照射下，VT1呈低阻状态，VT2饱和导通，IC触发端3脚得不到正触发脉冲而不工作，扬声器无声。当VT1被物体遮挡时，便产生一负脉冲电压，并通过C1耦合到VT2的基极，导致VT2进入截止状态，IC获得一正触发脉冲而工作，输出音频信号通过VT3放大，推动扬声器发出声响。声响内容可根据不同场合选择不同的语音电路来产生，例如高压电网或配电房等场所，可选用“高压重地，禁止人内”、“有电危险，请勿靠近”等语音集成电路。

本文所应用到的相关器件资料：CD4093 S9014 夜晚回家，打开门后要摸黑找电灯开关；或者晚上外出，关灯后要摸黑锁门，这些都带来一定的不便。如图所示的门控电灯开关电路，夜晚当你回家打开门后，室内电灯立即自动点亮；或者当你晚上开门外出时，门外楼道灯即自动点亮，并持续40s后自动关闭，给你带来方便。在白天，被控电灯不亮。整机电路由门控开关、光控开关、延时电路、RS触发器、执行电路和电源电路组成。 元器件选择：集成电路IC选用CMOS四施密特与非门CD4093。VT1选用3DU型光敏三极管。VT2选用S9014型晶体管，要求β≥60，也可用其他型号的NPN型硅管，ICM≥100mA，PCM≥400mW即可。二极管选用1N4001或者2CP系列。电源变压器选用3W、次级交流电压4.5V的。继电器K选用工作电压6V、工作电流≤30mA的小型直流继电器，触点负荷视所控制的照明灯泡功率而定，例如用40W灯泡，触点负荷≥0.2A×220V即可，也可几组接点并联使用以提高负荷能力。S选用常开接点干簧管。磁铁选用与干簧管长度相当的小条形永久磁铁，可从废旧耳机或磁性铅笔盒中拆取。阻容元件按图选取，无特殊要求。

本文所应用到的相关器件资料：3DJ6F 如图所示的光控电位器，使用激光笔做光源照射光敏管VT1，沟道电阻减小，音量提高；若照射VT2音量则降低，从而实现了光控音量调节。该电位器每次开机时，VT3管的G极电位为0V，沟道电阻为最大值，音量也就被控制在最小。如图所示为一单声道，若需控制多个声道，只需把场效应管G极并联起来即可。VT3选用3DJ6F或同类场效应管。VT1、VT2使用市售NPN型光敏管即可，C1、C2、C3选用6.3μF／25V钽电解电容。电阻选用1／8W金属膜电阻。

本文所应用到的相关器件资料：μA741 如图所示电路采用了达林顿型光敏三极管和运算放大器，所以很微弱的光线即可使电路翻转。当把R1和光敏管的位置对调，或且将运算放大器的反相和同相输入端对调位置，就可以把该电路修改为暗触发开关。

本文所应用到的相关器件资料：NE555 3DU511D 如图所示电路，由于采用了达林顿型光敏三极管作敏感元件，所以对弱光较敏感。适用于对反射光信号的检测。电路中当达林顿型光敏管受到光照后，其内阻减小，使2脚电位下降，当降为(1／3)Vcc时，3脚输出高电平，这时继电器释放。

一、光敏二极管光敏二极管是一种PN结型光电器件，又称BZW06-15光电二极管，具有单向导电性，可将光信号转换为电信号探测器件。PN结合反向电压，在光照下反向导通，光敏二极管所用材料一般为硅。如下图是光敏二极管的形状结构和符号。一般有光敏二极管ZDU型和ZCU两种类型。一般常用的是ZCU型,它是全密封、金属外壳、顶部有玻璃窗口。光敏二极管具有体积小、重量轻、使用寿命长、灵敏度高等特点。光敏二极管的主要参数①工作电压最高Umax：光敏二极管的反向电流不超过0.lμA反向最高电压值。②光电流IL：当光敏二极管受到一定光照时，加上正常反向工作电压时的电流值。③暗电流ID：光敏二极管在正常工作电压下会增加反向泄漏，无光照。④响应时间Tr:光敏二极管将光信号转换为电信号所需的时间。⑤光敏：表示光敏二极管对光敏。光敏二极管的应用有光敏二极管PN结型、PIN结型、雪崩型和肖特基结型有四种类型，其中硅材料制成的雪崩型和肖特基结型应用广泛。PN光敏二极管的结型。光敏二极管主要用于自动控制。例如，光耦合、光读出装置、红外遥控装置、红外防盗、路灯自动控制、过程控制、编码器、译码器等。检测光敏二极管①光敏二极管引脚的区别通常可以通过直接检查光敏二极管引脚的长度来区分:引脚的长度为正极(P极端)，短引脚为负极(N极)②对于有色点或管键标记的管道，靠近标记的一只脚是正极，另一只脚是负极。③用万用表的区别方法是将万用表置于Rx1k挡，用挡板挡住管子的受光窗口，用红、黑表笔对调测出两次阻值，其阻值较大的一次测量中(反向阻值)，红表笔所接的引脚为正极，黑表笔所接的引脚为负极。二、光敏三极管光敏三极管的结构与普通

光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1．结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。 2．光电转换原理 根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。 二、光敏三极管 光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为

Model No. Collector Current(mA) Collector Power Dissipation(mW) Spectral Rensitivity(nm)Half Angle Rise/Fall Time Dimension (mm)Datasheet(PDF)Vce = 5V Ic = 1mA RL = 1000Ω(µs)Vcc = 10V Ic = 5mA RL = 100Ω(µs)OST-1CL750-700 - 1000 +/-7015/15-3.0OST-1CL7OST-1KA/B50150500 - 1050 +/-5015/158/104.65OST-1KA/BOST-1KL3A50150350 -1050+/- 615/158/104.65OST-1KL3AOST-1KL3B50150350 - 1050 +/- 615/158/104.65OST-1KL3BOST-1KLA-150150400 - 1050 +/-1515/158/104.65OST-1KLA-1OST-1KLA50