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  • 上海金庆电子技术有限公司

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JANTXV2N6764产品参数
型号:JANTXV2N6764
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):38 A
最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):500 pF
JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):225 ns
最大开启时间(吨):135 ns
Base Number Matches:1
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