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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • JANTXV2N6847
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    • JANTXV2N6847图

    • 北京耐芯威科技有限公司

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    • 数量4000 
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    • 封装SMD 
    • 批号21+ 
    • 原装正品，优势库存，公司现货
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    • JANTXV2N6847图

    • 集好芯城

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    • JANTXV2N6847
    • 数量11140 
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    • 封装NA 
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    • JANTXV2N6847U图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • 数量350 
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    • JANTXV2N6847图

    • 麦尔集团

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    • JANTXV2N6847
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    • 批号17+ 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 封装 
    • 批号21+ 
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    产品型号JANTXV2N6847的Datasheet PDF文件预览

    Previous Datasheet  
    Index  
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    Provisional Data Sheet No. PD-9.553B  
    JANTX2N6847  
    JANTXV2N6847  
    [REF:MIL-PRF-19500/563]  
    HEXFET® POWER MOSFET  
    [GENERIC:IRFF9220]  
    P-CHANNEL  
    -200 Volt, 1.5Ω HEXFET  
    Product Summary  
    Part Number  
    JANTX2N6847  
    JANTXV2N6847  
    BVDSS  
    RDS(on)  
    ID  
    HEXFET technology is the key to International  
    Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
    tors. The efficient geometry achieves very low on-  
    state resistance combined with high transconductance.  
    -200V  
    1.5Ω  
    -2.5A  
    HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
    tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
    control, very fast switching, ease of paralleling and  
    electrical parameter temperature stability. They are  
    well-suited for applications such as switching power  
    supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
    amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
    ally any application where high reliability is required.  
    Features:  
    ■ Avalanche Energy Rating  
    ■ Dynamic dv/dt Rating  
    ■ Simple Drive Requirements  
    ■ Ease of Paralleling  
    ■ Hermetically Sealed  
    Absolute Maximum Ratings  
    Parameter  
    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Units  
    I
    @ V  
    = -10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
    -2.5  
    D
    GS  
    C
    A
    I
    D
    @ V  
    = -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
    -1.6  
    -10  
    GS  
    C
    I
    Pulsed Drain Current ➀  
    Max. Power Dissipation  
    Linear Derating Factor  
    Gate-to-Source Voltage  
    Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
    Operating Junction  
    DM  
    @ T = 25°C  
    P
    20  
    W
    W/K ➄  
    V
    D
    C
    0.16  
    V
    GS  
    dv/dt  
    ±20  
    -5.0  
    V/ns  
    T
    -55 to 150  
    J
    T
    Storage Temperature Range  
    Lead Temperature  
    STG  
    (0.063 in. (1.6mm) from  
    300  
    oC  
    g
    case for 10.5 seconds)  
    0.98 (typical)  
    Weight  
    To Order  
     
     
    Previous Datasheet  
    Index  
    Next Data Sheet  
    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Device  
    Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
    Parameter  
    Min. Typ. Max. Units  
    Test Conditions  
    BV  
    Drain-to-Source Breakdown Voltage  
    -200  
    —
    —
    —
    —
    V
    V
    = 0V, I = -1.0 mA  
    D
    DSS  
    GS  
    V/°C Reference to 25°C, I = -1.0 mA  
    ∆BV  
    /∆T Temperature Coefficient of Breakdown  
    -0.22  
    DSS  
    J
    D
    Voltage  
    ➃
    = -10V, I = -1.6A  
    D
    R
    Static Drain-to-Source  
    On-State Resistance  
    GateThreshold Voltage  
    Forward Transconductance  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    —
    —
    -2.0  
    1.0  
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.5  
    1.725  
    -4.0  
    —
    -25  
    -250  
    V
    V
    V
    DS(on)  
    GS  
    GS  
    Ω
    V
    S ( )  
    = -10V, I = -2.5A  
    D
    V
    g
    = V  
    , I = -250µA  
    GS D  
    GS(th)  
    fs  
    DS  
    > -15V, I  
    Ω
    V
    = -1.6A ➃  
    = 0.8 x Max Rating,V = 0V  
    DS  
    DS  
    DS  
    I
    V
    DSS  
    GS  
    = 0.8 x Max Rating  
    µA  
    —
    V
    DS  
    V
    = 0V, T = 125°C  
    J
    GS  
    I
    Gate-to-Source Leakage Forward  
    Gate-to-Source Leakage Reverse  
    Total Gate Charge  
    Gate-to-Source Charge  
    Gate-to-Drain (“Miller”) Charge  
    Turn-On Delay Time  
    Rise Time  
    Turn-Off Delay Time  
    Fall Time  
    Internal Drain Inductance  
    —
    —
    4.0  
    1.1  
    0.8  
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    5.0  
    -100  
    100  
    15  
    3.2  
    8.4  
    50  
    70  
    40  
    50  
    —
    V
    V
    = -20V  
    = 20V  
    GSS  
    GS  
    GS  
    nA  
    nC  
    I
    GSS  
    Q
    Q
    Q
    V
    V
    = -10V, I = -2.5A  
    D
    g
    gs  
    gd  
    GS  
    = Max. Rating x 0.5  
    DS  
    see figures 6 and 13  
    V = -100V, I = -2.5A,  
    DD  
    t
    d(on)  
    D
    t
    R
    = 7.5Ω, VGS = -10V  
    r
    G
    ns  
    t
    d(off)  
    t
    L
    see figure 10  
    f
    Measured from the  
    drain lead, 6mm (0.25  
    in.) from package to  
    center of die.  
    Modified MOSFET  
    symbol showing the  
    internal inductances.  
    D
    S
    nH  
    pF  
    Measured from the  
    source lead, 6mm  
    (0.25 in.) from package  
    to source bonding pad.  
    L
    Internal Source Inductance  
    —
    15.0  
    —
    C
    C
    C
    Input Capacitance  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer Capacitance  
    —
    —
    —
    330  
    100  
    33  
    —
    —
    —
    V
    = 0V, V  
    f = 1.0 MHz  
    see figure 5  
    = -25V  
    DS  
    iss  
    oss  
    rss  
    GS  
    Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
    Parameter  
    Min. Typ. Max. Units  
    Test Conditions  
    I
    I
    Continuous Source Current (Body Diode)  
    Pulse Source Current (Body Diode) ➀  
    —
    —
    —
    —
    -2.5  
    -10  
    Modified MOSFET symbol showing the  
    integral reverse p-n junction rectifier.  
    S
    SM  
    A
    V
    t
    Q
    Diode Forward Voltage  
    Reverse Recovery Time  
    Reverse Recovery Charge  
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    -4.8  
    300  
    3.0  
    V
    ns  
    µC  
    T = 25°C, I = -2.5A, V  
    = 0V ➃  
    GS  
    j
    SD  
    rr  
    RR  
    S
    T = 25°C, I = -2.5A, di/dt ≤ -100A/µs  
    j
    F
    V
    ≤ -50V ➃  
    DD  
    t
    Forward Turn-On Time  
    Intrinsic turn-on time is negligible. Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
    S D  
    on  
    Thermal Resistance  
    Parameter  
    Min. Typ. Max. Units  
    Test Conditions  
    R
    R
    Junction-to-Case  
    —
    —
    6.25  
    thJC  
    thJA  
    Junction-to-Ambient  
    —
    —
    175  
    K/W  
    Typical socket mount  
    To Order  
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    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Device  
    Fig. 1 — Typical Output Characteristics  
    TC = 25°C  
    Fig. 2 — Typical Output Characteristics  
    TC = 150°C  
    Fig. 3 — Typical Transfer Characteristics  
    Fig. 4 — Normalized On-Resistance Vs.Temperature  
    Fig. 5 — Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source  
    Voltage  
    Fig. 6 — Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source  
    Voltage  
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    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Device  
    Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward  
    Voltage  
    Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area  
    Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature  
    Fig. 10b — Switching Time Waveforms  
    Fig. 10a — Switching Time Test Circuit  
    To Order  
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    Index  
    Next Data Sheet  
    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Device  
    Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration  
    Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms  
    Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit  
    Fig. 13b — Basic Gate Charge Waveform  
    Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit  
    To Order  
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    JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Device  
    ➂ I  
    SD  
    ≤ -2.5A, di/dt ≤ -95A/µs,  
    ≤ BV , T ≤ 150°C  
    ➀ Repetitive Rating; Pulse width limited by  
    maximum junction temperature.  
    (see figure 11)  
    V
    DD  
    DSS  
    J
    ➃ Pulse width ≤ 300 µs; Duty Cycle ≤ 2%  
    ➁ @ V  
    = -50V, Starting T = 25°C,  
    J
    ➄ K/W = °C/W  
    DD  
    = [0.5  
    E
    L
    (I 2) [BV  
    /(BV  
    DSS  
    -V )]  
    W/K = W/°C  
    AS  
    *
    *
    *
    DSS DD  
    L
    Peak I = -2.5A, V  
    = -10V, 25 ≤ R ≤ 200Ω  
    G
    L
    GS  
    Case Outline and Dimensions — TO-205AF (TO-39)  
    All dimensions are shown millimeters (inches)  
    WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331  
    EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020  
    IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897  
    IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590  
    IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111  
    IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086  
    IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371  
    http://www.irf.com/  
    Dataandspecificationssubjecttochangewithoutnotice.  
    10/96  
    To Order  
    配单直通车
    JANTXV2N6847产品参数
    型号:JANTXV2N6847
    生命周期：Active
    IHS 制造商：DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
    零件包装代码：BCY
    包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
    针数：2
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.71
    Is Samacsys：N
    其他特性：AVALANCHE RATED
    雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：200 V
    最大漏极电流 (ID)：2.5 A
    最大漏源导通电阻：1.725 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-205AF
    JESD-30 代码：O-MBCY-W3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    封装主体材料：METAL
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
    认证状态：Qualified
    参考标准：MIL-19500/563
    表面贴装：NO
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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    • 数量*
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