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    产品型号ZTX869STOA的Datasheet PDF文件预览

    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH CURRENT TRANSISTOR  
    ISSUE 1 – APRIL 94  
    ZTX869  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    *
    *
    *
    25 Volt VCEO  
    5 Amps continuous current  
    Up to 20 Amps peak current  
    Very low saturation voltage  
    High Gain  
    C
    B
    E
    Ptot=1.2 Watts  
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    60  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    25  
    V
    6
    V
    Peak Pulse Current  
    20  
    5
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    IC  
    A
    Ptotp  
    Ptot  
    1.58  
    W
    W
    °C  
    1.2  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CER  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    60  
    60  
    25  
    6
    120  
    120  
    35  
    V
    V
    V
    V
    IC=100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltag  
    IC=1µA, RB ≤1KΩ  
    IC=10mA*  
    IE=100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    8
    Collector Cut-Off Current  
    Collector Cut-Off Current  
    Emitter Cut-Off Current  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=50V  
    VCB=50V, Tamb=100°C  
    ICER  
    R ≤1KΩ  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=50V  
    VCB=50V, Tamb=100°C  
    IEBO  
    10  
    nA  
    VEB=6V  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    25  
    50  
    100  
    180  
    50  
    80  
    200  
    220  
    mV  
    mV  
    mV  
    mV  
    IC=0.5A, IB=10mA*  
    IC=1A, IB=10mA*  
    IC=2A, IB=100mA*  
    IC=5A, IB=100mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    880  
    950  
    mV  
    IC=5A, IB=100mA*  
    3-306  
    ZTX869  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    VBE(on)  
    800  
    900  
    mV  
    IC=5A, VCE=1V*  
    Static Forward  
    Current Transfer  
    Ratio  
    hFE  
    300  
    300  
    250  
    40  
    450  
    450  
    400  
    100  
    IC=10mA, VCE=1V  
    IC=1A, VCE=1V*  
    IC=5A, VCE=1V*  
    IC=20A, VCE=1V*  
    Transition Frequency  
    fT  
    100  
    MHz  
    pF  
    IC=100mA, VCE=10V  
    f=50MHz  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cobo  
    70  
    VCB=10V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    60  
    680  
    ns  
    ns  
    IC=1A, IB1=100mA  
    IB2=100mA, VCC=10V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance: Junction to Ambient  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)  
    Rth(j-case)  
    150  
    50  
    °C/W  
    °C/W  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    D.C.  
    150  
    t1  
    D=t1/tP  
    Case te  
    100  
    50  
    0
    tP  
    m
    D=0.6  
    peratu  
    r
    e
    D=0.2  
    D=0.1  
    D=0.05  
    Single Pulse  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-307  
    ZTX869  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    1.5  
    1.0  
    675  
    450  
    225  
    0.8  
    IC/IB=10  
    IC/IB=100  
    VCE=5V  
    VCE=1V  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.5  
    0
    100  
    0.01  
    0.1  
    10  
    1
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    C
    v I  
    V
    FE  
    h
    C
    v I  
    VCE=1V  
    IC/IB=100  
    IC/IB=10  
    2.0  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    1
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(sat)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(on)  
    C
    V
    v I  
    V
    v I  
    C
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    100  
    10  
    D.C.  
    1s  
    100ms  
    10ms  
    1.0ms  
    0.1ms  
    1
    0.1  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    Safe Operating Area  
    3-308  
    配单直通车
    ZTX869STOA产品参数
    型号:ZTX869STOA
    生命周期：Active
    零件包装代码：TO-92
    包装说明：,
    针数：3
    Reach Compliance Code：compliant
    风险等级：5.56
    Base Number Matches：1
    •  
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    • 数量*
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