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HY27US08121B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY27US08121B
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内容描述: 512Mbit的( 64Mx8bit / 32Mx16bit )NAND闪存 [512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 16 页 / 234 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
电容
(T
A
=25
o
C,F = 100MHz时)
参数
输入电容
输入电容
输入电容
输入电容
输入电容
输入电容
数据输入/输出电容
A0 〜 A12 , BA0 , BA1
/ RAS , / CAS , / WE
CKE0
CS0
CK0 , / CK0 , CK1 , / CK1 , CK2 , / CK2
DM0 〜 DM7
DQ0 〜 DQ63 , DQS0 〜 DQS7
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IO1
58
58
58
58
25
8
7.89
最大
72
72
72
72
40
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
注意:
1. VDD =分钟。至最大, VDDQ = 2.3V至2.7V , VODC = VDDQ / 2 ,V
O
峰 - 峰值= 0.2V
被测2.引脚不能被连接到GND 。
3.这些值由设计保证,只以抽样方式进行测试。
输出负载电路
V
TT
R
T
=50
产量
Zo=50
V
REF
C
L
=30pF
修订版0.2 /十二月02
6