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HY27US08121B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY27US08121B
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内容描述: 512Mbit的( 64Mx8bit / 32Mx16bit )NAND闪存 [512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 16 页 / 234 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
输出短路电流
功耗
焊接温度·时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
50
8
260 / 10
等级
o
单位
C
o
C
V
V
V
mA
W
o
C
/秒
注意:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
直流工作条件
( TA = 0 〜70
o
C,电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
终止电压
参考电压
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
TT
V
REF
符号
2.3
2.3
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
REF
- 0.04
0.49*V
DDQ
典型值。
2.5
2.5
-
-
V
REF
0.5*V
DDQ
最大
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
REF
+ 0.04
0.51*V
DDQ
单位
V
V
V
V
V
V
3
2
1
注意:
1. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
.
2. V
IL
(分钟)是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度< 5ns的持续时间。
3. V的值
REF
约等于0.5V
DDQ
.
交流工作条件
( TA = 0 〜70
o
C,电压参考V
SS
= 0V)
参数
输入高电平(逻辑1 )电压, DQ , DQS和DM信号
输入低电平(逻辑0 )电压, DQ , DQS和DM信号
输入差分电压, CK和/ CK投入
输入交叉点电压, CK和/ CK投入
符号
V
IH (AC)的
V
白细胞介素(AC)的
V
的ID (AC)的
V
IX( AC)
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+ 0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
注意:
1. VID是CK的输入电平与所述输入上/ CK之间的差的量值。
2. VIX的值预计相当于发送装置0.5 * V DDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
修订版0.2 /十二月02
4