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    HY27US08121B 参数 Datasheet PDF下载

    HY27US08121B图片预览
    型号： HY27US08121B
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    内容描述： 512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存 [512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 16 页 / 234 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第11页  
    HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
    DC特性I
    （ TA = 0 〜70
    o
    C，电压参考V
    SS
    = 0V)
    参数
    输入漏
    当前
    添加， CMD ， / CS ， / CKE
    CK ， / CK
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    V
    OH
    V
    OL
    分钟。
    -16
    -12
    -5
    V
    TT
    + 0.76
    -
    最大
    16
    12
    5
    -
    V
    TT
    - 0.76
    单位
    uA
    uA
    V
    V
    记
    1
    2
    I
    OH
    = -15.2mA
    I
    OL
    = + 15.2毫安
    输出漏电流
    输出高电压
    输出低电压
    注意：
    1. V
    IN
    = 0至3.6V ，所有其他引脚没有在V测试
    IN
    =0V
    2. D
    OUT
    被禁用，V
    OUT
    = 0〜 2.7V
    修订版0.2 /十二月02
    7

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