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    HY27US08121B 参数 Datasheet PDF下载

    HY27US08121B图片预览
    型号： HY27US08121B
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    内容描述： 512Mbit的（ 64Mx8bit / 32Mx16bit ）NAND闪存 [512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 16 页 / 234 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY27US08121B的Datasheet PDF文件第9页  
    HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
    AC运行试验条件
    （ TA = 0 〜70
    o
    C，电压参考VSS = 0V ）
    参数
    参考电压
    终止电压
    AC输入高电平电压（V
    IH
    ，分）
    AC输入低电平电压（V
    IL
    ，最大值）
    输入定时测量参考电平电压
    输出时序测量参考电平电压
    输入信号的最大峰值摆幅
    最小输入信号斜率
    端接电阻器（R
    T
    )
    串联电阻（R
    S
    )
    输出负载电容的访问时间测量（C
    L
    )
    价值
    V
    DDQ
    x 0.5
    V
    DDQ
    x 0.5
    V
    REF
    + 0.31
    V
    REF
    - 0.31
    V
    REF
    V
    TT
    1.5
    1
    50
    25
    30
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V / ns的
    W
    W
    pF
    修订版0.2 /十二月02
    5

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