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    MT45W4MW16B 参数 Datasheet PDF下载

    MT45W4MW16B图片预览
    型号： MT45W4MW16B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64Mbit的PSRAM使用以及SRAM， VBGA54足迹 [64Mbit psram use as well as sram,VBGA54 footprint]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 61 页 / 970 K
    品牌： MICROTUNE [ MICROTUNE,INC ]
     浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第33页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第34页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第35页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第36页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第38页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第39页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第40页浏览型号MT45W4MW16B的Datasheet PDF文件第41页  
    64Mb: 4 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
    Timing Diagrams
    Timing Diagrams
    Figure 26:
    Initialization Period
    Vcc (MIN)
    Vcc, VccQ = 1.70V
    t
    PU
    Device ready for
    normal operation
    Table 18:
    Initialization Timing Parameters
    -70x
    -856
    Max
    150
    Min
    Max
    150
    Units
    µs
    Parameter
    Initialization Period (required before normal operations)
    Symbol
    t
    Min
    PU
    PDF: 09005aef80be1fbd/Source: 09005aef80be2036
    Burst CellularRAM_2.fm - Rev. G 10/05 EN
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