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    K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008V2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008V2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 136 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F2008V2E家庭
    产品列表
    工业产品温度（ -40〜 85°C ）
    部件名称
    K6F2008V2E-YF55
    K6F2008V2E-YF70
    K6F2008V2E-LF55
    K6F2008V2E-LF70
    功能
    32 sTSOP1 -F ， 55ns ， 3.3V ， LL
    32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL
    32 sTSOP1 -F （ LF ） ， 55ns ， 3.3V ， LL
    32 sTSOP1 -F （ LF ） ，为70ns ， 3.3V ， LL
    CMOS SRAM
    功能说明
    CS
    1
    H
    X
    1)
    L
    L
    L
    CS
    2
    X
    1)
    L
    H
    H
    H
    OE
    X
    1)
    X
    1)
    H
    L
    X
    1)
    WE
    X
    1)
    X
    1)
    H
    H
    L
    I / O
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    DOUT
    DIN
    模式
    取消
    取消
    输出禁用
    读
    写
    动力
    待机
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    1， X指唐
    ′
    不在乎（必须是高或低的状态）
    绝对最大额定值
    1)
    项
    任何引脚相对于VSS的电压
    在VCC电源相对于Vss电压
    功耗
    储存温度
    工作温度
    符号
    V
    IN
    ,V
    OUT
    V
    CC
    P
    D
    T
    英镑
    T
    A
    评级
    -0.2到V
    CC
    +0.5V
    -0.2〜 4.6V
    1.0
    -65到150
    -40到85
    单位
    V
    V
    W
    °C
    °C
    K6F2008V2E-F
    备注
    1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
    仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
    3
    修订版1.1
    2003年5月

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