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    K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008V2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008V2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 136 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第8页  
    K6F2008V2E家庭
    包装尺寸
    32引脚薄型小尺寸封装TYPE I（ 0813.4F ）
    CMOS SRAM
    单位：毫米（英寸）
    0.20
    0.008
    +0.10
    -0.05
    +0.004
    -0.002
    13.40
    ±0.20
    0.528
    ±0.008
    #32
    #1
    0.10
    最大
    0.004
    (
    8.40
    0.331 MAX
    8.00
    0.315
    0.25
    )
    0.010
    #17
    1.00
    ±0.10
    0.039
    ±0.004
    0.15
    +0.10
    -0.05
    0.006
    +0.004
    -0.002
    0.05
    0.002 MIN
    1.20
    0.047最大
    (
    0.50
    )
    0.020
    0.50
    0.0197
    #16
    0.25
    典型值
    0.010
    11.80
    ±0.10
    0.465
    ±0.004
    0~8
    °
    0.45~0.75
    0.018~0.030
    9
    修订版1.1
    2003年5月

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